首页 > 实时讯息 >
欧洲先进FD-SOI中试线启动设计征集，目标2027年实现10nm
0次浏览 发布时间：2025-03-19 15:18:00IT之家 3 月 19 日消息，据法媒 ECInews 报道，欧洲先进 FD-SOI 中试线（技术试点线）项目 FAMES 当地时间 18 日正式宣布对外公开征集计划采用 10nm、7nm FD-SOI 全耗尽型绝缘体上硅工艺的芯片设计。
FAMES 项目的协调员 Dominique Noguet 表示基于 10nm FD-SOI 工艺的测试芯片预计将于 2027 年推出。该制程节点将采用 193nm ArFi DUV 光刻机，采用 SADP 自对准双重曝光实现。
FAMES 中试线将提供用于先进 FD-SOI 节点的性能评估 PDK（IT之家注：工艺设计套件），以及用于测试设计的 MPW 多项目晶圆用 PDK。
除逻辑制程外，FAMES 中试线也关注配套的片上嵌入式 NVM 非易失性存储。FAMES 牵头方法国 CEA-Leti 研究所已成功制得 OxRAM（氧化物基阻变存储器）样品，正在关注 FRAM / FeFET（铁电存储器）和 MRAM（磁性存储器）。
相关文章
- 2025-06-13 16:15:00 福州象山隧道改造，有望8月底前完工
- 2025-06-09 20:21:00 “文明遇・鉴：中国大运河文化江苏周”即将赴欧，奏响中外文化交流新乐章
- 2025-06-09 18:14:00 每日一词 | 人力资源服务业与制造业融合发展 integration of HR services with the manufacturing sector
- 2025-05-23 14:49:00 甘肃省劳动模范和先进工作者表彰大会隆重举行 胡昌升出席并讲话
- 2025-05-19 18:45:00 捷豹路虎明年在华停产自有车型，用中国平台诞生产品“重塑”